RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Confronto
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
46
50
Intorno -9% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16
15.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.4
10.9
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
50
46
Velocità di lettura, GB/s
15.3
16.0
Velocità di scrittura, GB/s
10.9
12.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
25600
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2512
2660
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Team Group Inc. Vulcan-2400 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link