RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Confronto
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB vs G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
28
Intorno 14% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
17000
Intorno 1.13% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18
14.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.2
10.6
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
24
28
Velocità di lettura, GB/s
14.9
18.0
Velocità di scrittura, GB/s
10.6
15.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
17000
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2196
3660
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link