RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Porównaj
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB vs G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
28
Wokół strony 14% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
14.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.2
10.6
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
28
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
10.6
15.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2196
3660
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link