RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Confronto
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Punteggio complessivo
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
21300
Intorno 1.2% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
36
38
Intorno -6% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.4
15.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.8
12.0
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
38
36
Velocità di lettura, GB/s
15.5
17.4
Velocità di scrittura, GB/s
12.0
12.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
21300
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2283
3074
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link