RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Confronto
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Punteggio complessivo
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.5
12
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.0
8.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
17000
Intorno 1.51% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
38
Intorno -27% latenza inferiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
38
30
Velocità di lettura, GB/s
15.5
12.0
Velocità di scrittura, GB/s
12.0
8.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
17000
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2283
2034
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
King Tiger Technology Tigo-2133Mhz-8G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link