RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
12
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
8.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
38
Wokół strony -27% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
30
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
12.0
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
2034
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
INTENSO 5641152 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
INTENSO 5641160 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link