RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Confronto
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB vs G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
34
Intorno 9% latenza inferiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.5
6.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
17.0
3.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
8500
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
31
34
Velocità di lettura, GB/s
6.6
17.5
Velocità di scrittura, GB/s
3.6
17.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
17000
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
921
3697
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB Confronto tra le RAM
AMD R534G1601U1S 4GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
Mushkin 991586 2GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link