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Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
比较
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB vs G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
总分
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
总分
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
34
左右 9% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.5
6.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.0
3.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
8500
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
34
读取速度,GB/s
6.6
17.5
写入速度,GB/s
3.6
17.0
内存带宽,mbps
8500
17000
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
921
3697
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Nanya Technology NT1GT64U8HB0BN-3C 1GB
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Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
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