RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Confronto
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
45
48
Intorno -7% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.7
8.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.1
5.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
10600
Intorno 2.42 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
48
45
Velocità di lettura, GB/s
8.9
14.7
Velocità di scrittura, GB/s
5.9
11.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
25600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1420
2556
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB Confronto tra le RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link