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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Confronto
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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Motivi da considerare
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
45
48
Intorno -7% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.7
8.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.1
5.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
10600
Intorno 2.42 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
48
45
Velocità di lettura, GB/s
8.9
14.7
Velocità di scrittura, GB/s
5.9
11.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
25600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1420
2556
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB Confronto tra le RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
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Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
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