RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
45
48
Wokół strony -7% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.7
8.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.1
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
48
45
Prędkość odczytu, GB/s
8.9
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
11.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1420
2556
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB Porównanie pamięci RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link