RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Confronto
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Punteggio complessivo
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.0
6.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
41
Intorno -78% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.7
13.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
41
23
Velocità di lettura, GB/s
13.3
14.7
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
6.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2016
2190
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB Confronto tra le RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB Confronto tra le RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8XR 8GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link