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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Confronto
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Punteggio complessivo
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.3
11.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
40
Intorno -25% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.2
8.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
40
32
Velocità di lettura, GB/s
12.3
11.1
Velocità di scrittura, GB/s
8.9
9.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1789
2386
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Confronto tra le RAM
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Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965600-012.A01G 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
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