RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Confronto
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
36
Intorno 17% latenza inferiore
Motivi da considerare
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.9
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.2
6.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
8500
Intorno 2.26 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
30
36
Velocità di lettura, GB/s
10.6
14.9
Velocità di scrittura, GB/s
6.8
8.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
19200
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1479
2281
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link