Confronto tra le RAM Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB

Punteggio complessivo

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

30 71

Intorno 58% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s

10.6 6.1

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

6.8 4.8

Valore medio nei test

Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB

Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

10600 8500

Intorno 1.25 larghezza di banda superiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Temporizzazioni / Velocità di clock

7-7-7-20 / 1066 MHz 7-7-7-20 / 1333 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

1479 1092

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns