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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Confronto
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Punteggio complessivo
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
31
Intorno 3% latenza inferiore
Motivi da considerare
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.9
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.0
6.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
8500
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
30
31
Velocità di lettura, GB/s
10.6
15.9
Velocità di scrittura, GB/s
6.8
11.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
17000
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1479
2813
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB Confronto tra le RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
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