RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Confronto
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Punteggio complessivo
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
34
Intorno 12% latenza inferiore
Motivi da considerare
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.3
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.5
6.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
8500
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
30
34
Velocità di lettura, GB/s
10.6
17.3
Velocità di scrittura, GB/s
6.8
14.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
17000
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1479
3606
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link