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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Confronto
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
36
Intorno 17% latenza inferiore
Motivi da considerare
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.7
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.8
6.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
8500
Intorno 2.51 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
30
36
Velocità di lettura, GB/s
10.6
15.7
Velocità di scrittura, GB/s
6.8
12.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
21300
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1479
3032
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
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