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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Confronto
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
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Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
30
Intorno -3% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.2
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.0
6.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
8500
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
30
29
Velocità di lettura, GB/s
10.6
17.2
Velocità di scrittura, GB/s
6.8
13.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
17000
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1479
3416
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
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