RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Confronto
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
32
Intorno 6% latenza inferiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.1
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.6
6.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
8500
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
30
32
Velocità di lettura, GB/s
10.6
17.1
Velocità di scrittura, GB/s
6.8
16.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
17000
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1479
3742
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link