RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Confronto
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Punteggio complessivo
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
30
Intorno -7% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.1
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
17.0
6.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
8500
Intorno 2.51 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
30
28
Velocità di lettura, GB/s
10.6
19.1
Velocità di scrittura, GB/s
6.8
17.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
21300
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1479
3786
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB Confronto tra le RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8A-PB 4GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link