RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Confronto
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Punteggio complessivo
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
30
Intorno -20% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.2
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.4
6.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
8500
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
30
25
Velocità di lettura, GB/s
10.6
15.2
Velocità di scrittura, GB/s
6.8
11.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
17000
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1479
2346
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link