RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
Confronto
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Kingston 9965662-012.A01G 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Punteggio complessivo
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
11.9
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.3
6.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
8500
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
30
30
Velocità di lettura, GB/s
10.6
11.9
Velocità di scrittura, GB/s
6.8
8.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
17000
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1479
2489
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston 9905665-020.A00G 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link