RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Confronto
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
30
Intorno -11% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.2
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.7
6.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
8500
Intorno 2.26 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
30
27
Velocità di lettura, GB/s
10.6
15.2
Velocità di scrittura, GB/s
6.8
11.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
19200
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1479
2537
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link