RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Confronto
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
55
Intorno 45% latenza inferiore
Motivi da considerare
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.9
6.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
8500
Intorno 3.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
30
55
Velocità di lettura, GB/s
10.6
16.0
Velocità di scrittura, GB/s
6.8
12.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
25600
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1479
2699
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9905701-029.A00G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link