RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Confronto
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Punteggio complessivo
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
33
Intorno 9% latenza inferiore
Motivi da considerare
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.8
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.4
6.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
8500
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
30
33
Velocità di lettura, GB/s
10.6
14.8
Velocità di scrittura, GB/s
6.8
10.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
17000
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1479
2828
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
Corsair CMV4GX3M1C1600C11 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link