RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Confronto
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Punteggio complessivo
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
30
Intorno -25% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.9
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.5
6.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
8500
Intorno 2.51 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
30
24
Velocità di lettura, GB/s
10.6
16.9
Velocità di scrittura, GB/s
6.8
14.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
21300
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1479
3095
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link