RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Confronto
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB vs A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Punteggio complessivo
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
31
Intorno 29% latenza inferiore
Motivi da considerare
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.2
17.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.3
12.7
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
22
31
Velocità di lettura, GB/s
17.7
18.2
Velocità di scrittura, GB/s
12.7
14.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
21300
21300
Other
Descrizione
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
3075
3439
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Confronto tra le RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB Confronto tra le RAM
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link