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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB vs A-DATA Technology DDR4 3200 8GB

総合得点
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

総合得点
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A-DATA Technology DDR4 3200 8GB

A-DATA Technology DDR4 3200 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB 考慮すべき理由
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    22 left arrow 31
    周辺 29% 低遅延
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB 考慮すべき理由
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    18.2 left arrow 17.7
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    14.3 left arrow 12.7
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    22 left arrow 31
  • 読み出し速度、GB/s
    17.7 left arrow 18.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    12.7 left arrow 14.3
  • メモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    3075 left arrow 3439

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Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
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Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
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G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
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Kingston XRMWRN-MIE 16GB
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メモリRAM
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
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Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
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メモリRAM
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
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Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
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SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
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Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
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