RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M4 70T5267AZ3-CE6 4GB
Confronto
SK Hynix CT51264AC800.C16FC 4GB vs Samsung M4 70T5267AZ3-CE6 4GB
Punteggio complessivo
SK Hynix CT51264AC800.C16FC 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T5267AZ3-CE6 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix CT51264AC800.C16FC 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
52
53
Intorno 2% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
1,904.4
1,810.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
6400
5300
Intorno 1.21% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Samsung M4 70T5267AZ3-CE6 4GB
Segnala un bug
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M4 70T5267AZ3-CE6 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR2
Latenza in PassMark, ns
52
53
Velocità di lettura, GB/s
4,850.6
4,479.6
Velocità di scrittura, GB/s
1,904.4
1,810.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
5300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 667 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
913
786
SK Hynix CT51264AC800.C16FC 4GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Samsung M4 70T5267AZ3-CE6 4GB Confronto tra le RAM
Mushkin 991763 (996763) 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Kingston KHX1600C10D3/8GXF 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link