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SK Hynix CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M4 70T5267AZ3-CE6 4GB

SK Hynix CT51264AC800.C16FC 4GB vs Samsung M4 70T5267AZ3-CE6 4GB

総合得点
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SK Hynix CT51264AC800.C16FC 4GB

SK Hynix CT51264AC800.C16FC 4GB

総合得点
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Samsung M4 70T5267AZ3-CE6 4GB

Samsung M4 70T5267AZ3-CE6 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

SK Hynix CT51264AC800.C16FC 4GB 考慮すべき理由
SK Hynix CT51264AC800.C16FC 4GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    52 left arrow 53
    周辺 2% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 4
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    1,904.4 left arrow 1,810.7
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 5300
    周辺 1.21% 高帯域
Samsung M4 70T5267AZ3-CE6 4GB 考慮すべき理由
Samsung M4 70T5267AZ3-CE6 4GB
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仕様

技術仕様の完全リスト
SK Hynix CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M4 70T5267AZ3-CE6 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR2
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    52 left arrow 53
  • 読み出し速度、GB/s
    4,850.6 left arrow 4,479.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,904.4 left arrow 1,810.7
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 5300
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 5-5-5-15 / 667 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    913 left arrow 786

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