RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Confronto
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Punteggio complessivo
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
38
Intorno -52% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13
10.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.5
6.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
38
25
Velocità di lettura, GB/s
10.9
13.0
Velocità di scrittura, GB/s
6.6
11.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 31 32 33 34 35 36 37
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1406
2931
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link