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SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Confronto
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Differenze
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Motivi da considerare
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
38
Intorno -41% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.2
10.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.8
6.6
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
38
27
Velocità di lettura, GB/s
10.9
12.2
Velocità di scrittura, GB/s
6.6
7.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
12800
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1406
1763
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
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OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
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