RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Confronto
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
38
Intorno -41% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
22.7
10.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.9
6.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
38
27
Velocità di lettura, GB/s
10.9
22.7
Velocità di scrittura, GB/s
6.6
14.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1406
3861
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link