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SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Confronto
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
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Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
38
Intorno -52% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.7
10.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
17.2
6.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
38
25
Velocità di lettura, GB/s
10.9
18.7
Velocità di scrittura, GB/s
6.6
17.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1406
4039
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
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ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
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