RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Confronto
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Punteggio complessivo
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
35
38
Intorno -9% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15
10.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.0
6.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
38
35
Velocità di lettura, GB/s
10.9
15.0
Velocità di scrittura, GB/s
6.6
12.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1406
2654
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/16G 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link