RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Confronto
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
35
38
Intorno -9% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.1
10.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.2
6.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
12800
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
38
35
Velocità di lettura, GB/s
10.9
15.1
Velocità di scrittura, GB/s
6.6
9.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
25600
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1406
2488
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link