RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Confronto
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Punteggio complessivo
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
44
Intorno -29% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.1
12.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.6
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
44
34
Velocità di lettura, GB/s
12.3
19.1
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
12.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1977
3178
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Micron Technology 18JSF1G72PZ-1G6D1 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link