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Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB
Confronto
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB
Punteggio complessivo
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
28
Intorno 7% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.5
10.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB
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Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.4
7.8
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
26
28
Velocità di lettura, GB/s
13.5
10.5
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
8.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
10600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1932
1570
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2S2G64CB88G5N-DI 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB Confronto tra le RAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G9P1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
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