RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Confronto
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
5
16.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,381.6
15.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
60
Intorno -94% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
60
31
Velocità di lettura, GB/s
5,082.2
16.5
Velocità di scrittura, GB/s
2,381.6
15.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
925
3142
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
UMAX Technology 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link