RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Confronto
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
52
60
Intorno 13% latenza inferiore
Motivi da considerare
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
5
2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,381.6
1,145.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
6400
4200
Intorno 1.52 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR2
Latenza in PassMark, ns
52
60
Velocità di lettura, GB/s
2,614.5
5,082.2
Velocità di scrittura, GB/s
1,145.9
2,381.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
4200
6400
Other
Descrizione
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Temporizzazioni / Velocità di clock
4-4-4-12 / 533 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
409
925
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link