RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Confronto
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Punteggio complessivo
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
5
16.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
46
Intorno -53% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.1
1,852.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
30
Velocità di lettura, GB/s
5,535.6
16.1
Velocità di scrittura, GB/s
1,852.4
12.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
858
2882
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Confronto tra le RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link