RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
16.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
46
Wokół strony -53% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.1
1,852.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
30
Prędkość odczytu, GB/s
5,535.6
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,852.4
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
858
2882
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link