RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Confronto
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Punteggio complessivo
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Punteggio complessivo
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
16.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
50
Intorno -61% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.0
1,457.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
6400
Intorno 4 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
50
31
Velocità di lettura, GB/s
3,757.3
16.6
Velocità di scrittura, GB/s
1,457.4
14.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
25600
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
557
3415
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link