RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wynik ogólny
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
50
Wokół strony -61% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.0
1,457.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
31
Prędkość odczytu, GB/s
3,757.3
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,457.4
14.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
557
3415
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology C 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link