RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Confronto
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Punteggio complessivo
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Punteggio complessivo
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
11.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
870.4
6.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
87
Intorno -190% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
87
30
Velocità di lettura, GB/s
3,155.6
11.1
Velocità di scrittura, GB/s
870.4
6.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
417
1254
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Segnala un bug
×
Bug description
Source link