RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Confronto
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Punteggio complessivo
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Punteggio complessivo
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
870.4
1,500.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
47
87
Intorno -85% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
6400
5300
Intorno 1.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR2
Latenza in PassMark, ns
87
47
Velocità di lettura, GB/s
3,155.6
4,705.9
Velocità di scrittura, GB/s
870.4
1,500.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
6400
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
417
460
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Confronto tra le RAM
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB Confronto tra le RAM
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
A-DATA Technology AM1L16BC8R2-B1NS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link