RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Confronto
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Punteggio complessivo
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Punteggio complessivo
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
17.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
870.4
14.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
87
Intorno -172% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
5300
Intorno 4.83 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
87
32
Velocità di lettura, GB/s
3,155.6
17.3
Velocità di scrittura, GB/s
870.4
14.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
25600
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
417
3208
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link