RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Confronto
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Punteggio complessivo
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Punteggio complessivo
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
23.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
870.4
19.0
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
87
Intorno -235% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
5300
Intorno 4.02 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
87
26
Velocità di lettura, GB/s
3,155.6
23.1
Velocità di scrittura, GB/s
870.4
19.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
21300
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 3
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
417
4276
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2800C16 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link