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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Confronto
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Punteggio complessivo
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Punteggio complessivo
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
19.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
870.4
15.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
87
Intorno -248% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
87
25
Velocità di lettura, GB/s
3,155.6
19.3
Velocità di scrittura, GB/s
870.4
15.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
417
3751
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
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