RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Confronto
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Punteggio complessivo
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
16.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
870.4
15.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
35
87
Intorno -149% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
5300
Intorno 4.83 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
87
35
Velocità di lettura, GB/s
3,155.6
16.7
Velocità di scrittura, GB/s
870.4
15.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
25600
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
417
3191
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB Confronto tra le RAM
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link